NlST는 잘 형성된 단결정 나노와이어를 상업적으로 사용되는 기판 위에 원하는 방향으로, 원하는 위치에 위치시킬 수 있는 기술을 시연해 보였다. 수평으로 성장시킬 반도체의 시작점이 될 열 방향으로 배열된 금 나노입자를 사파이어 기판 위에 형성시켜 직경이 겨우 3nm밖에 안 되는 반도체 선을 얻었다. 그 외의 방법으로는 직경이 10nm 이상의 선 밖에 얻을 수 없었다. NIST의 기술로 아연산화물로 이루어진 나노와이어를 정확한 배열을 갖도록 만들 수 있었다. 금 ‘닻’은 화학적 에칭단계나나노와이어를 표면으로부터 수평, 수직 또는 60°만큼의 각도를 갖고, 금 입자의 크기 변화에 의해 결정되도록 할 때 사용된다. (ACB)