교토대학, 일본 싱크로트론 방사 연구소의 연구진들, 그리고 오사카 대학과 미주리의 캔자스시티 대학의 협동 과학자들의 공동 연구로 3세대 싱크로트론 소스를 이용한 NEXASFS (near-edge X-ray absorption fine structure) 측정을 사용하면 세라믹 내에 존재하는 매우 희박한 농도의 불순물(도펀트(dopant))들을 검출할 수 있음을 설명하였다. 성공적인 측정을 위해서는 스펙트럼을 해석할 수 있는 정밀한 이론적인 도구가 필수적이다. 연구진들은 이 기술과 제1원리 계산을 이용하여 고순도 MgO 내에 10ppm 농도로 존재하는 Ga 도펀트를 연구했다. 그 결과 Ga이 Mg자리에 치환되는 것과 관련되어 있는 추가 변화가 Mg 공공의 형성으로 보상되는 것이 밝혀졌다. 이 모델은 양전자의 수명 측정과 평면파 유사포텐셜 계산으로 입증되었다. (ACB)