로스 알라모스 국립 연구소의 고밀도 자기장 연구소의 과학자들은 고온 초전도성의 근본적인 기제를 성명할 수 있는 이론에 핵심이 될 증거를 찾았다고 발표했다. 고밀도 자기장내에서 수행된 실험을 통해 과학자들은 Bi-Sr-La-Cu-O로 만들어진 고온 초전도체의 홀 효과의 급격한 변화가 현재 초전도성의 원인이라고 믿어지고 있는 사실과 일치하는 상변이의 신호를 보이게 되는지를 보였다. 이 연구는 NSF, 플로리다 주와 DOE의 지원으로 이루어졌다. (ACB)