실온하에서 투명전도성 단결정막 제작 성공 東京공업대학 응용세라믹스연구소의 吉本護 조교수는 투명전도성의 단결정막을 실온에서 실리콘 기판 위에 제작하는데 성공했다. 인디움 주석 산화물(ITO) 등 투명도전성 산화물은 디스플레이나 태양전지 전극에 널리 사용되며, 트랜지스터나 IC의 투명화도 연구되고 있다. ITO 단결정막은 보통 기판을 600℃ 정도로 한 스팩터링 등으로 만들어지며 실온에서는 성능이 낮은 다결정만 만들어졌었다. 이에 대해 吉本 교수가 개발한 레이저 MBE법은 레이저를 산화물 타깃으로 펄스상으로 쏘고, 타깃 분자 자체에 높은 에너지를 부여했기 때문에 고온이 아니어도 막이 생기고, 계면이 매끄럽다. 이번에는 다시 실리콘과 ITO 사이에 둘 다 친숙한 구조의 산화 셀륨을 3㎚의 극박(極薄) 상태로 끼워 넣었다는 것이 포인트. 단결정은 전자선, X선 회절로 확인했다. 태양전지 전극으로 한 결과, 일반 방법과 동등한 변환효율 13%가 되었다. 저온에서도 가능하기 때문에 유기재료를 사용하기 쉬워, 일렉트로미네센스나 고속 메모리, DNA의 소자 제작 등에 이용할 수 있고, 제조 에너지도 삭감할 수 있다. (CJ)