산업기술종합연구소는 농도 90%의 고농도 오존가스를 사용한 고품위 실리콘 산화막의 저온제작기술을 개발했다고 발표했다. 明電舍와 공동 개발한 대용량형 고순도 오존 발생장치를 이용, 분위기 제어 등으로 오존의 분해를 억제, 지금까지의 산소법에 비해 500℃나 낮은 400℃에서 절연특성 등이 우수한 산화막을 형성했다. 차세대 액정 파넬이나 불휘발성 메모리 게이트막 등, 산소법으로는 대응이 어려웠던 고성능 소자에 대응할 수 있다고 한다. 실리콘 산화막은 절연막으로서 일렉트로닉스 분야에서 폭넓게 사용되고 있는데, 이제까지는 산소를 이용한 고온제작법이 주류. 제작에는 산소 이외에 각종 플라즈마를 이용하는 방법 등이 시도되었는데, 활성종의 안정공급이나 산화막의 손상 등이 문제가 되었다. 産總硏의 野中秀彦 주임연구원 등은 고농도 오존에 주목, 대용량형 고순도 오존 발생장치를 개발함과 동시에, 그것을 이용하여 수 십 펄스에서 1000펄스의 범위에서 오존 압력과 유량의 정밀, 안정제어를 실시하는 등의 연구를 함으로써 산호막 제작기술을 확립했다. 막 특성은 ①고온열 산화법과 동등한 성장속도 ②절연내압, 산화막 속의 불순물 밀도, 산화막, 실리콘 기판 계면의 결함밀도 등은 첨단 디바이스 수준 ③600℃ 제작의 산화막의 저연내압이 고온열 산화막을 능가한다. 차세대 디바이스의 조건을 만족시켰다. 앞으로는 나노테크 분야로의 전개도 전망하고 있다. (NK)