東京대학의 荒川泰彦 교수 등과 富士通은 공동으로 종래의 반도체 광증폭기(SOA)와 엘비움 첨가 화이버 증폭기(EDFA)에서는 불가능한 120나노미터의 초광대역과 200밀리와트의 고출력 특성을 가진 양자 도트 광증폭기(QDSOA)를 최초로 개발했다고 발표했다. QD의 크기를 분산시켜서 광대역화를, 밀도로 고출력화를 각각 꾀했다. 차세대 소형·저가·고성능 광증폭기로 주목되어 이 회사가 올초에 엔지니어링 샘플을 출하했다. 이 QDSOA는 반도체 레이저와 같은 구조. 증폭 매질(媒質)에 지름 30나노미터 전후의 인디움·비소 QD를 1 평방센티미터 당 수 백억 개 늘어서 S층을 5층 정도 적층한 구조. QD는 82년에 荒川 교수 등이 제안한 꿈의 가두기 구조. 전자를 0차원에 가둘 수 있기 때문에 이것을 광증폭층에 채용하면 지금까지 없던 광역대와 고출력의 광증폭기가 가능하게 된다고 이론 예측했었다. 이번에 이것을 실증한 것이다. 파장다중광통신에서는 다중 정도가 광증폭기의 대역에 제한되어 있던 것이 실정. 광역대화로 다중화 용량을 늘릴 수 있다. 역으로 다중밀도를 낮추면 인접 채널과의 간섭도 완화되어 값싼 시스템으로 이어진다. 현재의 EDFA는 대역이 30나노미터로 좁다. 현재의 SOA도 더 낮은 출력레벨로 50나노미터 정도. QDSOA는 대역이 몇 배가 되어 출력도 실용수준에 달해 있으므로 꿈의 QD응용 디바이스가 최초로 실용단계를 맞는다. 이번에 개발한 QDSOA는 광통신의 1.5마이크로미터대이지만, QD사이즈를 조정하면 1.26마이크로미터에서 1.61마이크로미터까지 광통신의 모든 대역을 이 QDSOA 몇 개로 커버할 수 있다고 한다. 이 연구는 02년도부터 文部科學省 및 經濟産業省의 프로젝트로 진행해 온 산학연대 연구. 앞으로 설계 최적화 등을 통해서 프로젝트가 종료되는 06년이면 이 회사가 제품을 판매할 계획이다. (NK)