독자의 고속·저온 프로세스인 페라이트 도금법으로 고투자율의 니켈아연 페라이트 박막제작에 성공 東京공업대학이공학전공과의 阿部正紀 교수 등은 독자의 고속·저온 프로세스인 페라이트 도금법으로 고투자율의 니켈아연 페라이트 박막 제작에 성공했다. 이 교수 등은 페라이트 도급법 가운데에서 반응액과 산화액을 각각 노즐로 분무하여 기판을 회전시키면서 페라이트 박막을 큰 면적으로 제작할 수 있는 스핀스프레이법을 채용. 이번에 90℃ 저온에서 그것도 조건을 최적화하여 매분 70㎚으로 종래의 4배로 빠르게 니켈아연 페라이트를 형성했다. 제작한 니켈아연 페라이트를 東北새로운 대학의 다원물질과학연구소 등이 개발한 3㎓의 초고주파대까지 계측할 수 있는 박막투자율 측정법으로 측정. 최초로 스피넬형 페라이트 박막의 복소투자율을 200 ~ 300㎒까지 계측했다. 그 결과, 300㎒ 이하에서 복소투자율 가운데 실부(實部)가 40, 허부(虛部)가 0으로 코어 재료에 적합하며, 300 ~ 300㎒대에서는 허부가 40 이상으로 양호한 전파흡수성을 나타낸다는 것을 알았다. 특히 자기공명주파수는 1.2㎓로 벌크의 약 9배에 달한다는 것이 밝혀졌다. 벌크에서는 자성의 방향이 랜덤이지만, 박막에서는 2차원으로 제한되므로 공명주파수가 벌크의 몇 배가 된다는 것은 알려졌었지만, 측정할 수 있게 된 이후 최초로 실증할 수 있었던 것. 니켈아연 페라이트는 절연체이므로 프린트 배선기판의 구리배선 위에도 형성할 수 있다. 게다가 무전해 도금이므로 플라스틱 기판 등, 형성할 재료를 가리지 않고 저온형성할 수 있다. 따라서 프린트 배선판 위에 실장한 LSI나 구리 배선 위에서 이 도금법으로 전체를 덮거나 시트상으로 만들어 전자 노이즈에서 실드할 수 있다. (CJ)