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[ 통권 173호 | ]

이산화티탄 광촉매 박막율 300도 저온 소성하는 기술 개발
  • 편집부
  • 등록 2003-07-08 15:41:02
  • 수정 2009-07-22 15:54:02
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이산화티탄 광촉매 박막을 300℃저온 소성하는 기술 개발 산업기술종합연구소 세라믹스 연구 부문 메소폴러스 세라믹스 연구 그룹은 큰 면적에서 투명한 이산화티탄 광촉매 박막을 약 300℃의 저온에서 소성하는 기술을 개발했다고 발표했다. 내열온도가 낮은 대형 창유리 등에의 실용화가 가능하며 기술이전의 요망에 대응한다. 이번에 개발한 기술은 이산화티탄과 그 박막을 제막하는 유리 등 기판 사이에 중간층으로서 실리카 박막을 형성함과 동시에 실리카와 이산화티탄이 제막 프로세스에서 특수한 용제를 사용한 용액에 담그는 딥코팅 처리가 포인트. 우선 실리카 용액에 담가 건조, 다음으로 산화티탄 용액에 담가 건조, 소성한다. 실리카 박막을 중간층으로 사용함으로써 이산화 티탄 박막 소성 시에 기판에서 나오는 이온의 영향이 차단되기 때문에 약 300℃의 저온소성이 가능하게 된다. 또 특수용제를 사용한 딥코팅 처리로 기판의 외형에 관계없이 고밀도, 고순도여서 균일한 박막의 제막이 가능하다. 각각의 박막은 나노미터 레벨에서 제어할 수 있다. 이산화티탄 광촉매는 환경오염물질을 분해, 제거할 수 있기 때문에 시크하우스 증후군 대상으로 부상하고 있다. 그러나 박막으로 소성할 경우는 550~600℃의 고온이기 때문에 내열온도가 낮은 대형 유리창에는 응용할 수 없었다. 저온에서 가능한 스팩터링 제막은 작은 면적에서만 가능하고 원가면에서도 문제가 있었다. (CJ)

 

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