성균관대 정원국 교수, 갈륨비소계 나노양자점 신물질 개발 차세대 광통신용 레이저 개발에 필수적인 갈륨비소계 나노양자점 신물질이 개발됐다. 성균관대 정원국 교수(재료공학부) 팀은 과학기술부 기초과학연구지원사업의 지원을 받아 갈륨비소 웨이퍼 위에 1300㎚ 파장의 높은 발광효율을 갖는 나노양자점 신물질을 균일한 크기로 성장시키는 데 성공해 차세대 광통신용 레이저 개발이 앞당겨지게 됐다고 최근 밝혔다. 연구팀은 갈륨비소 기판 위에 인듐비소 나노양자점을 에피성장시킬 때 질소를 함께 공급해 인듐비소질소 나노양자점을 성장시킨 결과 첨가시킨 질소의 양이 1% 정도의 소량임에도 발광 파장이 1300㎚의 장파장으로 이동하며 발광효율이 감소하지 않는 것을 발견했다. 또 이 나노양자점은 상온에서 33meV의 발광 스펙트럼 반치폭(최대 진폭의 절반을 잘라 수평치를 잰 값)을 나타내 나노양자점의 조성 및 크기가 균일하며 시분해 발광 특성 측정을 통해 나노양자점 주위에 격자 결함을 거의 만들지 않아 상온에서 600㎰의 긴 운반자 지속시간을 갖는다.