고온 열처리 없이도 금속과 세라믹 산화물 간에 매끄러우면서도 강한 표면을 갖게 하는 방법이 미 국립 원자력 안전청 산하 Sandia 국립 연구소, Pacific Northwest 국립 연구소, North Texas 대학의 연구진에 의해 개발되었다. 이 방법은 전원이 차단된 후에도 모든 데이터를 저장하고 있어 즉각적인 부팅이 가능한 차세대 컴퓨터를 가능하게 할 MRAM(magnetic rando m-access memory)의 기능을 향상시킬 것으로 기대된다. 저렴한 기술은 더 뛰어난 성능을 가지면서도 값이 싼 화학 반응 촉매 제조와 더 좋은 세라믹/금속 밀봉 형성뿐만 아니라 더 뛰어난 성능의 나노 장치들을 만들 수 있을 것으로 보인다. 이 방법은 산화물 층위에 올라가는 금속 층의 성장과 계면 강도를 조절함으로써 가능해졌다. (ACB)