광주과학기술원 신소재공학과 성태연 교수와 송준오 박사팀은 최근 나노구조물과 인듐주석산화물(ITO)을 사용해 빛의 투과도와 전기적 특성을 동시에 끌어올린 고품위 p형 오믹전극을 개발했다. 연구팀은 이 기술을 국내와 미국 등에 특허등록 했으며 삼성종합기술원에 관련 기술을 이전했다. 얇은 반투명 니켈, 금(NI, Au)으로 형성된 기존 p형 오믹전극은 단파장 빛의 영역(400~470)에서 75% 정도의 빛 투과도를 보여 발광효율이 낮다는 단점을 갖고 있다. 또한 국내외 관련 업계 및 연구소에서는 빛 투과도가 1백%에 가까운 ITO를 사용해 고투명 p형 오믹전극을 개발했으나 전기적 특성이 낮은 문제점이 있었다. 성 교수 팀은 p형 반도체 상부에 ITO를 증착하기 전에 전기가 잘 통하는 불순물(도판트)인 10~20 크기의 인듐산화물을 사용함으로써 빛 투과도 뿐 아니라 전기적 특성을 동시에 획기적으로 개선하는 데 성공했다고 설명했다. 성 교수는 “현재까지 ITO만을 사용해 고품질의 p형 오믹전극을 개발했다는 보고 사례가 없다"며 “오랜 과제였던 고품위 GaN계 LED를 제조할 수 있는 원천기술을 확보했다는 데 큰 의미가 있다"고 설명했다.