삼성전자가 세계 최초로 60나노 8기가 반도체 시대를 열었다. 황창규 삼성전자 반도체 총괄 사장은 지난 9월 20일 서울 신라호텔에서 기자간담회를 갖고 “세계 최초로 60나노(1나노미터는 10억분의 1m, 반도체 회로선폭) 8기가 바이트(Gb·1Gb는 10억7374만바이트) 낸드(NAND) 플래시메모리를 개발했다”고 발표했다. 또한, 황 사장은 “80나노 공정으로 2기가 DDR2 D램과 세계 최고속인 667NKz 모바일 CPU도 세계에서 처음으로 개발했다”고 밝혔다. 60나노 8기가 반도체는 머리카락 두께 2,000분의 1정도의 회로선폭을 이용, 메모리카드 1장에 81억9,000만개의 트랜지스터가 집적된 것으로 메모리 카드로 만들어질 경우 최대 16Gb까지 확장돼 DVD급 화질로 16시간 이상의 동영상(영화 10편)이나 MP3 파일 4,000곡(340시간) 또는 신문 102만4,000장을 저장할 수 있다. 삼성전자는 지난해 4기가 낸드 플래시 개발에 이어 1년 만에 8기가급을 개발함으로써 ‘1.5년 만에 용량(집적도)이 2배가 된다’는 ‘무어의 법칙’을 깨고 황 사장이 발표한 ‘메모리 신성장론’을 다시 한번 입증했다고 의미를 부여했다. 삼성전자는 2기가 DDR2 SD램 제품을 내년부터 양산할 계획이며, 최대 8기가 바이트 모듈 제작을 할 수 있게 됨에 따라 대용량 메모리 모듈이 필요한 서버 등에 주로 탑재할 계획이다. 이에 따라 실시간으로 대용량 데이터 처리가 필요한 동영상 회의, 원격 의료시스템, 쌍방향 통신, 3차원 그래픽 등 차세대 정보통신 혁명에 한발짝 가까이 다가서게 됐다는 분석이다. 황 사장은 “세계 1위 품목인 D램, S램, 플래시, 디스플레이 구동칩에 이어 올해 멀티칩패키지(MCP)에서 1위에 오르고 2007년까지는 스마트카드칩, 모바일 CPU, CMOS 이미지센서, SoC 분야에서도 최고가 될 것”이라고 말했다.