광주 첨단산업단지 입주업체 막스트로닉스(대표 김병천)는 최근 질화갈륨(GaN)계의 대체물질로 차세대 발광소자 재료로 떠오르고 있는 비소(AS)가 첨가된 p형 아연산화물(ZnO) 박막 성장기술을 개발, 내년에 양산에 들어갈 예정이라고 밝혔다. 막스트로닉스 측은 “복합선속증착장치(HBD·Hybrid Beam Deposition)를 통해 성장된 이 박막은 LED 소자제작에 적합한 1cm3당 1018개 이상의 운반자 농도를 보이는 것으로 나타났다”고 말했다. 이 회사 김병천 사장은 “p형 ZnO 박막성장기술은 미국·일본 등이 원천기술을 보유하고 있는 GaN을 기반으로 하는 발광소자와는 전혀 다른 화합물을 이용한 LED 제조기술을 확보했다는 점에서 의미가 있다”며 “이번 성과로 국내에서도 외국 선진국의 특허공세를 피해 차세대 발광 소자소재 개발의 원천기술 확보할 수 있게 됐다”고 설명했다. 문의)062-973-2580