다양한 나노 물질이 차세대 메모리, 로직 칩의 후보 물질로 거론되고 있다. 나노일렉트릭 메모리는 실리콘 나노결정 비휘발성 메모리와 MRAM을 선두로 2004년 초반에 시장에 진입할 것으로 보인다. 상대적으로 가까운 시일 내에 기존 증착 공정과 패턴 기술을 이용한 탄소 나노튜브 기반의 메모리도 실현될 것으로 예상되고 있다. 장기적으로 초고밀도 분자, 고상 메모리와 나노선 배선이 나타나 100Gb/㎠이상의 저장 밀도를 보일 것으로 예상하고 있다. 나노일렉트릭 로직은 2013년이 되어서야 초기단계로 선보일 것으로 예상되고 있다. 고밀도 장치와 재프로그램이 가능한 새로운 로직 구조를 위한 구성요소들은 나노재료의 사용에 달려있는 것이다. (ACB) 나노일렉트릭 메모리와 로직 제품의 잠재 시장 2008($B) 2013($B) AAGR(%) 2008~13 메모리 30 200 46.1 로직 0 20 N/A 총계 30 220 49.0