旭硝子와 東北대학의 小柳光正 교수 등의 공동연구팀은 旭硝子가 가진 고밀도 금속 나노입자 기술을 응용한 신형 불휘발 메모리 ‘메탈 나노 도트(MND) 메모리’를 개발했다고 발표했다. 현재의 플래쉬 메모리의 부유 게이트 부분에 MND가 고밀도로 분산된 것을 사용한 불휘발 메모리. 현 플래쉬 메모리의 고밀도화의 한계를 극복할 수 있다. 旭硝子가 이 기술을 디바이스 메이커 등에 공여해 나간다. MND은 旭硝子가 經産省 프로젝트 ‘시너지 세라믹스 연구’에서 개발한 기술. 1입방센티미터당 20조(兆)개로 실리콘 도트보다도 1자릿수 고밀도로 만들 수 있다는 것이 특징. 이 회사가 디바이스화를 小柳 교수에게 제의, 이 대학의 벤처 비즈니스 라보래토리에서 기본구조를 개발. 고밀도이기 때문에 플래쉬의 미세화, 고밀도화에 대응할 수 있다. 현재는 70나노미터 세대가 플래쉬의 한계라고 알려져 있으나 이것을 20나노미터 세대까지 미세화할 수 있다고 한다. 게다가 직경 2나노미터 정도의 금속을 실리콘 산화막 속에 분산시키고 있기 때문에 통상의 실리콘 반도체와 비교해 에너지적으로 깊은 우물에 전하를 유지한다. 따라서 전하유지 시간이 길어 그만큼 터널 산화막의 두께를 얇게 하여 미세화에 대응할 수 있으며 동시에 기입 속도도 고속화할 수 있다. 프로세스적으로도 스팩터 장치로 성막할 수 있기 때문에 기존의 반도체 공정의 변경을 동반하지 않는다. MND의 재현성은 조성비, 압력 등 성장조건에 따라 제어할 수 있다고 한다. (CJ)