산업기술종합연구소는 한국 삼성전자와 공동으로 최소 50나노미터 사이즈의 도트 패턴을 전자선이나 근접장광을 이용하지 않고 제작하는데 성공했다고 발표했다. 가시레이저광의 조사로 박막 상에 열을 발생시켜 그 열을 이용. 또 열로 체적이 변화하는 새로운 박막재료를 사용하여 박막의 구조를 최적화함으로써 극미세 가공을 가능케 했다. 저가의 리소그래피 기술로서 초고밀도 광 ROM디스크 원반제작기술에 실용화를 지향한다. 가시레이저광의 조사로 발생하는 열로 도트 패턴을 형성하는 ‘열 리소그래피법’과 텔빔-철-코발트와 산화실리콘-황화아연의 새 재료를 이용한 ‘열체적 변화막’을 이번에 조합시켰다. 새 재료는 가열로 상호확산하고 확산 후에는 체적이 팽창하는 성질이 있는데, 미소영역에서 이 현상을 발생시켜 극미세한 리소그래피를 실행한다. 산화실리콘제 디스크 기판에 두 새 재료의 다층구조를 스팩터링법으로 제작. 이 열체적 변화막을 시료로 하여 매초 3미터로 돌면서 청색 펄스레이저광(파장 405나노미터)를 조사했다. 레이저 조사는 시료가 1회전하는 동안에 이루어지며 그 후 200나노미터 이동시켜서 다시 조사한다. 이것을 30회 반복하여 도트 패턴을 제작했다. 도트로 문자를 묘화하는 실험도 이루어져 각 도트가 약 110나노미터, 1문자가 약 1마이크로미터 크기의 영문자를 묘화할 수 있었다. (NK)