산업기술종합연구소는 실리콘 클러스터 빔을 이용하여 실리콘 나노블록이 규칙적으로 배열한 나노 박막형성에 성공했다고 발표했다. 입경 2~3 나노미터의 실리콘 클러스터를 기상 속의 충격파를 이용하여 형성, 아모르파스 카본박 상태로 퇴적시켰다. 최상의 나노구조인 3차원 나노블록 실현에 길을 여는 성과. 미세전자총(단색 에미타), 초고밀도 자기기록 등 차세대 기능성 재료연구에 대한 응용이 전망된다. 이 연구는 産總硏의 岩田康嗣 연구체장, 武藤麻紀子 특별연구원 등과 東京대학, 大阪전기통신대학과의 공동연구. 실리콘 클러스터의 입경을 기상밀도나 온도로 제어할 수 있다는 것에 주목, 충격파를 이용하여 헬륨 환경 속에서 입경이 2~3나노미터로 사이즈가 일정한 실리콘 클러스터 빔을 발생시켰다. 이것을 진공 속에서 아모르파스 카본 위에 퇴적시킨 결과 자발적으로 규칙적으로 배열, 박막을 형성할 수 있다는 것을 밝혀냈다. 기판과 클러스터 사이의 쌍극자에 의한 상호작용으로 규칙적으로 배열했다고 한다. 3차원 배열도 가능하다고 보여, 입체구조제어기술의 확립을 목표로 한다. 이로써 실리콘 클로서트의 구조제어 가능성을 실증했다. 클러스 빔에 의한 박막형성의 제어성을 높이는 것이 다음 과제. 안정된 나노블록을 기본단위로 한 구조를 만들면 양자 사이즈의 차세대 신기능 소자개발로 이어질 듯 하다. (NK)