저온에서 고품위 실리콘 산화막 형성 기술 개발 산업기술종합연구소는 농도 90% 이상의 고농도 오존가스를 이용한 고품위 실리콘 산화막의 저온제작기술을 개발했다고 발표했다. 이제까지의 산소법에 비해 500℃나 낮은 400℃에서 절연특성 등이 우수한 산호막을 형성했다. 産總硏의 野中秀彦 주임연구원 등은 고농도오존에 주목, 대용령향 고순도 오존 발생장치를 明電舍와 공동으로 개발함과 동시에 그것을 이용하여 수 십~1000Pa의 범위에서 오존압력과 유량의 정밀, 안정제어를 실행하는 등의 연구를 함으로써 산화막 제작기술을 확립했다. 막 특성은 ①고온열산화법과 동등한 성장속도 ②절연내압, 산화막 속의불순물 밀도, 산화막, 실리콘 기판 계면의 결함밀도 등은 첨단 디바이스와 유사 ③600℃ 제작 산화막의 절연내압이 고온열산화막을 능가한다. 차세대 디바이스의 조건을 만족시켰다. 차세대 액정 패널이나 불휘발성 메모리의 게이트막 등 산소법으로는 대응이 어려웠던 고성능 소자에 대응할 수 있다고 한다. (CJ)