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원자력연, SK하이닉스와 반도체 협력 강화
원자력연, SK하이닉스와 반도체 협력 강화- 반도체 방사선 신뢰성 연구센터 현판 제막- 양성자가속기 등 연구시설 공동 활용- 우주·대기방사선 영향평가 기술 고도화 한국원자력연구원과 SK하이닉스가 28일 상호협력 협약을 체결했다. (왼쪽부터) 임인철 한국원자력연구원 원장 직무대행, 송준호 SK하이닉스 부사장. (자료제공: 원자력연)...
특집
특집
잉크젯 프린팅 공정을 활용한 프로톤 세라믹 전기화학 셀 개발_심준형
Special 차세대 연료전지 및 전해전지 개발 동향(1)잉크젯 프린팅 공정을 활용한 프로톤 세라믹 전기화학 셀 개발: 디스플레이 제조기술에서 차세대 그린수소 에너지 시스템으로심준형_고려대학교 기계공학과 교수1. 서 론전 세계적으로 탄소중립과 에너지 안보가 국가 경쟁력의 핵심 요소로 부상하면서 수소 기반 에너지 시스템에 대한 관...
기고/칼럼
칼럼
기고
인터뷰
세라믹스 차이나 2026 전시회 참관기_이호준
기고-참관기세라믹스 차이나 2026 전시회 참관기- 40주년 맞이한 ‘Ceramics China 2026’, 중국의 세라믹 산업 혁신과 글로벌 참여- 2026 중국 광저우 세라믹스 차이나 수출 컨소시엄 사업으로 한국기업 참가이호준_대건엠텍(주) 대표이사제40회 세라믹스차이나 2026 개막일 개막식과 입구 전경세라믹스 차이나 2026 소개지난 6월 24일부터 27일까...
세라미스트광장
세라미스트광장
‘나노코리아 2026’ 첨단세라믹 등 미래 소재기술 한자리에
‘나노코리아 2026’ 첨단세라믹 등 미래 소재기술 한자리에- 7월 8~10일 킨텍스, 국제첨단세라믹전 등 7개 소재 전시 동시 개최- AI·반도체·이차전지 등 첨단산업 핵심 세라믹 기술 집중 조명나노코리아 2026 전시장 입구나노코리아 2026 전시장 내부 전경AI와 나노기술 융합의 장, 첨단세라믹 산업의 확장성과 가능성 주목‘나...
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고령자 장애인 화장실 안에서 사고 당할때 신속 대응하는 ´화장실 정보 시스템´개발
고령자 장애인 화장실 안에서 사고 당할때 신속 대응하는 「화장실 정보 시스템」 개발 三共난방(大阪市 北區, 사장 山根昭美)는 고령자나 장애인이 화장실 안에서 쓰러지는 등의 사고를 당해도 신속…
2003-07-08 18:48:50
탱크 없는 화장실은 ´특허권 침해´TOTO항의문,INAX는 ´전혀다른것´소송으로 번져
탱크 없는 화장실은 「특허권 침해」 TOTO 항의문, INAX는 「전혀 다른것」 소송으로 번져 TOTO는 INAX의 탱크 없는 화장실 「새티스」가 특허권을 침해했을 가능성이 있다며 이 회사에 항의문을 송부했다.…
2003-07-08 18:47:51
자연계에 없는 섬아연광형 망간 비소 결정을 망간 비소 기판위에 성장시키는데 성공,전자구조도 밝혀
자연계에 없는 섬아연광형 망간 비소 결정을 망간 비소 기판 위에 성장시키는데 성공, 전자구조도 밝혀 구극의 TMR 소자 개발로 東京대학과 산업기술종합연구소의 연구팀은 자연계에는 없는 섬아연…
2003-07-08 18:46:22
0.1mm박판,0.2mm 구멍뚫기 가공한대로 할수있는 전자부품 전용 펀치 프레스 개발
0.1mm 박판, 0.2mm 구멍뚫기 가공 한대로 할 수 있는 전자부품 전용 펀치 프레스 개발 아마다는 미세한 구멍뚫기와 구부림(성형) 가공을 한 대로 할 수 있는 소형 전자부품전용 펀치 프레스 「MERC(마크) 타…
2003-07-08 18:43:22
페라이트자석 생산공정 찌꺼기 전량 자석원료로 재이용 새로 개발한 분쇄장치 사용
페라이트자석 생산공정 찌꺼기 전량 자석원료로 재이용 새로 개발한 분쇄장치 사용 住友특수금속은 신개발한 분쇄장치를 사용하여 페라이트 자석의 생산공정에서 발생하는 고형 찌꺼기 전량을 자석…
2003-07-08 18:42:26
구리에 무기계 저유전을 층간절연막 ´L-Ox´조합시킨 다층배선 기술
구리에 무기계 저유전율 층간절연막 「L-Ox」조합시킨 다층배선 기술 무기계 층간막과 응력기인에 의한 비어홀의 불량 해결 NEC는 구리배선의 신뢰성 높은 제 2세대 기술을 개발했다. 구리에 무기계 저…
2003-07-08 18:41:32
20나노미터 게이트 길이에서 280펨트초의 CMOS 기술 개발
20나노미터 게이트 길이에서 280펨트초의 CMOS 기술 개발 日立제작소는 스위칭 시간이 280펨트초로 최초로 펨트초 영역에 달하는 최고속 게이트 길이 20나노미터의 CMOS기술을 개발했다. 게이트 누전류를 1 …
2003-07-08 18:40:19
235나노미터로 반도체 다이아몬드 발광 다이오드에서 600배인 17마이크로와트 높이는데 성공,실용성능 근접
235나노미터로 반도체 다이아몬드 발광 다이오드에서 600배인 17마이크로와트 높이는데 성공, 실용성능 근접 東京가스의 프론티어 연구소는, 235나노미터로 반도체에서 가장 단파장 발광하는 다이아몬…
2003-07-08 18:39:28
세계에서 가장 얇은 0.5mm 코일용 인덕터 개발
세계에서 가장 얇은 0.5mm 코일용 인덕터 개발 川崎제철은 두께 0.5밀리미터로 종래의 2분의 1로 슬림화한 세계에서 가장 얇은 인덕터를 개발했다고 발표했다. 휴대전화 등 소형휴대기기의 DC/CD콘버터에 …
2003-07-08 18:38:30
도포열분해법사용,몰리브덴 전극 위에 구리 인디움 박막 제작
도포열분해법사용, 몰리브덴 전극 위에 구리 인디움 박막 제작 東京이과대학 공학부의 安藤靜敏 강사 등은 도포열분해법으로 몰리브덴(Mo) 전극 위에 구리(Cu) - 인디움(In) 박막 제작에 성공했다. 열분해…
2003-07-08 18:37:46
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