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단일이온주입법 이용, 실리콘 기판위에 니켈 채워 넣은 나노피라미드 어레이 개발

早稻田대학의 연구팀은 독자의 단일이온주입(SII)법을 이용, 실리콘 기판 위에 니켈을 채워 넣은 나노피라미드 어레이(NPA)를 개발했다. 카본나노튜브(CNT)의 촉매인 니켈을 NPA의 정점에 채워 넣은 것으로 화…

2003-08-28 22:26:11
질화갈륨 HEMT 증폭기 45볼트, 고출력 연속동작을 실현

富士通연구소(川崎市, 사장 藤崎道雄)은 제3세대 이동통신(IMT-2000)의 기지국용 질화갈륨 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 증폭기를 개발, 기지국 시스템 전원에 최초로 직결가능한 35볼트로 100와트의 고출력…

2003-08-28 22:25:58
전기방창원리 응용한 ‘물에 의한 연삭유 대체기술’ 개발

岡山대학 공학부의 塚本眞也 교수는 전기방창원리를 응용한 ‘물에 의한 연삭유 대체기술’을 개발했다. 수류를 매개로 하여 공작물과 전극 노즐에 전류부하가 가해짐으로써 회로를 형성, 공작물에 녹이…

2003-08-28 22:25:44
단일이온주입법 채용 니켈이온의 수와 위치 제어, 카본나노튜브 성장 최초 성공

早稻田대학의 大泊嚴 교수, 일본학술진흥회의 品田賢宏 CCE 특별연구원 등은 독자적인 단일이온주입(SII)법으로 촉매금속인 니켈이온의 수와 위치를 제어하여 카본 나노튜브(C-NT)의 성장에 최초로 성공했…

2003-08-28 22:25:33
도전성 다이아몬드 후막에 간단히 3차원 형상을 실시하는 기술 확립

日本공업대학 시스템 공학과의 鈴木淸 교수와 富山縣立 대학 공학부 기계시스템 공학과의 岩井學 조교는 도전성 다이아몬드 후막에 간단히 3차원 형상을 실시하는 기술을 확립했다. 방전가공을 함으로써…

2003-08-28 22:25:14
산화아연 주상(柱狀) 결정막 액상법으로 치밀화에 성공

東京대학 대학원 공업계 연구과의 桑原誠 교수, 平野吾 조교 등은 실리콘 기판 위에 산화아연의 치밀한 주상 결정막을 액상법으로 성장시키는데 최초로 성공했다. 지금까지 실리콘 기판 위에 치밀한 산화…

2003-08-28 22:25:02
진공증착법에 의한 고순도 마그네슘 피복기술 확립 내식성 향상

姬路공업대학 대학원 공학연구과의 椿野晴繁 교수 등은 진공증착법에 의한 고순도 마그네슘 피복기술을 확립했다. 시료 사이즈 사방 30센티미터로 실용 사이즈의 증착장치를 시작. 도금이나 주조 등 타분…

2003-08-28 22:24:49
치과재생의료에 신기술 무기, 유기재를 활용

東京의과치과대학 의치학 종합연구과의 春日井昇平 교수 등은 치주병으로 잃은 턱의 뼈, 점막재생이나 상처 치유에 유효한 혈소판 농축을 특수한 무기, 유기재료를 사용하여 실시하는 기술을 개발했다. …

2003-08-28 22:24:27
주사터널현미경 사용 은의 나노구조 자유자재로 재현성 높게 형성하는데 성공

물질, 재료연구기구의 藤田大介 주석연구원 등은 주사터널현미경(STM)을 사용하여 은의 나노 구조를 자유자재로 재현성 높게 형성하는데 성공했다. 은을 피복한 탐침으로 실리콘 기판 위에 은 도트나 세선…

2003-08-28 22:24:16
사용이 끝난 내화벽돌 초임계 이산화탄소 리칭법이 우라늄 제거에 성공

일본원자력연구소의 연구팀은 초임계 이산화탄소 리칭법으로 우라늄 연료가공공장 등에서 사용한 후, 사용이 끝난 내화벽돌에 부착한 우라늄을 제거하는데 성공했다. 이 연구팀은 이 방법이 종래의 산…

2003-08-28 22:23:56

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