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PZT 기초 MEMS의 미세기계 가공

편집부(외신) 박막필름 재료에 기초를 둔 Lead Zirconate Titanate- (PZT-)이 그 뛰어난 압전적 특성 때문에 많은 미세 전기기계 시스템(MEMS)에 일반적인 재료로 선택되어왔다. PZT박막 필름이 미세기계가공된 기…

2003-07-05 23:38:57
세계 최소 실리콘렌즈 개발, 고속광통신용 반도체 기술을 응용 직경 125마이크로미터로 가공

沖電氣工業은 세계 최소 실리콘렌즈를 개발했다. 반도체 기술을 응용, 렌즈를 광파이버의 외형과 같은 직경 125마이크로미터의 통 모양으로 가공하였고, 실리콘 V홈 기판에 실장할 수 있다는 것이 특징. 이…

2003-07-05 21:53:57
3종류의 활성입자, 순간적으로 계측, 자율형 나노제조 장치에 길

名古屋대학 공학연구과의 後藤俊夫 교수 등은 片桐엔지니어링(川崎市幸區, 사장 片桐俊郞), 일본 레이저 전자(名古屋市熱田區, 사장 米田勝實)와 공동으로 컴팩트한 래디컬 모니터링 장치를 개발했다. …

2003-07-05 21:45:31
촉매인 철 박막 코트한 사파이어 기판위에 단층 카보나노튜브를 화학기상 성장하는데 최초 성공

NEC와 과학기술진흥사업단(JST)은 공동으로 촉매인 철 박막을 코트한 사파이어 기판 위에 단층 카보나노튜브(SWCNT)를 화학기상성장(CVD)하는데 최초로 성공했다. 그 생성량이 사파이어 기판의 결정면에 의한 …

2003-07-05 21:42:17
다성분 산화물의 MOCVD 개발 조성 재현성 비약적상승 FT-IR로 현장관찰

東京공업대학의 舟窪浩 조교수 등 산학공동팀은 강유전체 메모리 등 다성분 산화물 박막의 조성재현성을 비약적으로 높일 수 있는 피드백(귀환)기능이 있는 유기금속기상성장장치(MOCVD)를 개발했다. 프리…

2003-07-05 21:41:41
반도체 제조 장치용 단열재 개발

니치어스는 반도체 제조장치용 단열재를 개발했다. 일반 공업용 단열재에 비해 발생하는 티끌의 양을 3%로 저감했다는 것이 특징. 반도체 제조에서는 웨하의 회로형성 등으로 화학약품과의 반응을 촉진하…

2003-07-05 21:40:03
에스엔티, 수출 비중 확대 주력

반도체와 LCD용 부품 소재 업체인 에스엔티(대표 이재홍 www.snt.co.kr)는 매출 다변화를 위해 수출 비중을 늘릴 계획이다. 이 회사에서는 지난해 전체 매출 130억원중 수출은 23억원으로 18%에 머물렀으나 올해…

2003-07-05 21:07:22
한양대 이철진 교수, 이중벽탄소나노튜브 대량합성기술 개발

한양대 나노공학과 이철진 교수팀은 촉매를 이용한 화학기상 성장법으로 불순물이 거의 없는 고품질 이중벽 탄소나노튜브를 대량 합성하는 기술을 세계 최초로 개발했다고 최근 밝혔다. 현재 탄소나노…

2003-07-05 21:04:53
연세대 염한웅 교수팀, 반도체소자 초정밀측정용 광전자 분광설비 개발

연세대 초미세 표면과학연구센터 염한웅 교수팀은 최근 실리콘 반도체 소자와 관련한 극박막 구성과 화학상태 등을 아주 정밀하게 측정할 수 있는 세계 최고 분해능(분석 정밀도) 수준의 광전자 분광설비…

2003-07-05 21:03:50
한국기계연구원, 10nm급 초경분말 제조기술 개발

반도체 기판 가공용 초정밀 기기제작 등에 활용할 수 있는 나노 크기의 제3세대 초경분말 제조기술이 개발됐다. 한국기계연구원 재료기술연구소의 김병기 박사팀은 2년간 과학기술부 국가지정연구실사업…

2003-07-05 21:02:44

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