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- 자성 반도체 나노 입자의 3차원 배열
- 콜럼비아 대학, IBM 사(社), 뉴 올란드 대학의 연구진들은 두 가지 다른 타입의 입자를 배열해 새로운 3차원 물질을 개발했다고 발표했다.
실험에 사용된 물질들은 서로 다른 특성을 가진 물질을 혼합해야 ...
- 2003-12-25
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- 내열성 4배 높인 탄화규소 반도체 소자 개발
- 전력중앙연구소는 내열성을 종래의 4배로 높인 반도체 소자를 개발했다. 변전소나 전철 제어용 반도체 등에 사용한다. 탄화규소는 내열성이 높아 고온조건에서 사용하는 반도체 소자의 재료로 기대되고 ...
- 2003-12-25
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- 京大가 화합물 합성에 성공, 전해산화에 의해 중합 전극상에 폴리머 박막 석출·유기반도체나 태양전지 등 응용 기대 높은 전기화학
- 京都대학 화학연구소의 村田靖次郞 조교 등은 플라렌C60(탄소원자가 축구공 모양으로 결합한 분자)에 폴리티오펜(전자공사체)를 도입한 연결화합물의 합성에 성공했다. “C60의 높은 전자수용태를 손상시...
- 2003-11-25
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- 반도체 나노입자를 분산한 유리 형광체 시험제작하는데 세계 최초 성공
- 산업기술종합연구소 광기술 연구부문의 유리재료기술그룹(關西센터)의 村瀨至生 주임연구원 등은 반도체 나노입자를 분산한 안정된 유리 형광체를 제작하는데 세계 최초로 성공했다. 충분히 강한 여기...
- 2003-10-31
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- 새 반도체 재료 합성에 성공, 실온에서 강자성 유지
- 산업기술종합연구소는 실온에서 강자성을 나타내는 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 신재료의 합성에 세계 최초로 성공했다고 발표했다. 아연텔루르 모재 속의 아연의 약 20%를 크롬으로 치환한 물질로 27℃까지의 온도영...
- 2003-10-31
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- 세계반도체업계, 게르마늄 반도체 공동 개발
- 미국 인텔 일본 도시바를 비롯한 세계적 반도체회사들이 게르마늄 반도체의 공동 개발에 나서고 있다.
이들 회사는 기존의 실리콘 대신 게르마늄 소재를 활용해 처리용량이 현재보다 30배나 큰 제품을 개...
- 2003-09-23
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- 기초과학지원연구원 조채룡박사팀, 반도체소자용 절연체박막의 원소분포 분석기술 개발
- 수십나노미터급 반도체 소자용 절연체 박막의 원소분포를 분석할 수 있는 기술이 세계 최초로 국내 연구진에 의해 개발됐다. 한국기초과학지원연구원 조채룡 박사팀은 액체운반 금속화학기상 증착(LD-MOCV...
- 2003-09-23
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- 고농도 오존수 사용한 반도체 세정장치 개발
- 반도체 벤처인 츠쿠바세미테크놀로지(츠쿠바시)는 고농도 오존수를 사용한 반도체 세정장치를 개발하였다. 화학약품을 거의 쓰지 않고 마무리하여 하수처리 등의 운전원가를 반감시킨다. 반도체 세정장...
- 2003-08-29
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- 차세대 반도체 전극 구조 고안,2004년 이후 실용화
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차세대 반도체 전극 구조 고안, 2004년 이후 실용화
日立제작소 중앙연구소는 2004년 이후에 실용화가 기대되는 차세대 반도체의 가장 적합한 전극 구조를 고안했다. 차세대 반도체는 미세한 반도체에...
- 2003-07-29
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- 실리콘 28을 99.4%로 농축, 반도체 재료고성능화 동위체 분리법을 개발
- 일본원자력연구소의 원자분자과학연구팀은 힐리서치(東京都 港區)와 뉴클리어 디벨로프먼트(茨城縣 東海村)의 협력으로 반도체의 고성능 재료가 되는 실리콘 28을 99.4%로 농축하는 동위체 분리법의 개발...
- 2003-07-14
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- 대기 속에서 반도체에 구멍 뚫기 가공을 한 포노틱 결정(pc)을 개발
- 펨트초 테크놀러지 연구기구(FESTA)는 펨트초 레이저를 이용, 최초로 대기중에서 반도체에 구멍 뚫기 가공을 한 포노틱 결정(PC)를 개발했다. 레이저 파장을 반으로 하고, 가공 에너지의 최적화 등을 실리콘 ...
- 2003-07-14
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- 빛으로 세라믹을 반도체로, 태양전지 등 투명전극에 응용도 가능
- 과학기술진흥사업단(JST)의 호소노(細野) 투명전자활성 프로젝트(細野秀雄 東京공업대학 교수)는 일반적인 시멘트 원료이기도 한 알루미나와 생석회(산화칼슘)을 섞은 투명절연체 ‘C12A7’을 반도체로 바...
- 2003-07-14
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- 서울대 박윤 교수,게르마늄 이용 ´자성반도체´개발
- 서울대 박윤 교수,
게르마늄 이용 ‘자성반도체’ 개발
일반 반도체 재료인 게르마늄을 이용, 차세대 ‘자성반도체’를 만들 수 있는 길이 열렸다.
서울대 박윤 교수는 게르마늄에 망간을 첨가하는 ...
- 2003-07-09
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- 남 등 중금속 이온율 99.9% 제거하는 반도체용 여과장치 개발
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납 등 중금속 이온을 99.9% 제거하는 반도체용 여과장치 개발
리퀴드 콘샌드(兵庫縣 伊丹市, 사장 岡上公彦)는 납 등 중금속 이온을 99.9% 제거하는 여과장치 「SA필터」를 개발, 住友상사를 통해서 판매...
- 2003-07-09
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- 1.15~1.6마이크로미터 대외 ISBT광 흡수 질화물 반도체로 관측
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1.15~1.6마이크로미터 대의 ISBT광 흡수 질화물 반도체로 관측
上智大學의 克巳 교수 등은 질화물 반도체 초격자에서 1.15마이크로미터 대에서 1.6마이크로미터까지 서브밴드간 천이(ISBT)에 의한 광흡수를...
- 2003-07-09
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- 질화물 반도체에서 공명 터널 다이오드 실온동작 성공
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질화물 반도체에서 공명 터널 다이오드 실온동작 성공
上智대학의 岸野克巳 교수 등은 질화물 반도체에서 최초로 공명 터널 다이오드(RTD)의 실온동작에 성공했다. 분자선 에피탁시(MBE)로 계면을 급준...
- 2003-07-09
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- ⅡⅥ족의 셀렌화 아연계 반도체 InP기판으로 부활의 조짐 보이기 시작, 수명 2500시간 돌파
- ⅡⅥ족의 셀렌화 아연계 반도체
InP기판으로 부활의 조짐 보이기 시작, 수명 2500시간 돌파
신뢰성 수명이 나오지 않아, 환상의 청색 반도레 레이저로 끝났던 ⅡⅥ족의 셀렌화 아연계가 부활할 조짐을 ...
- 2003-07-09
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- 반도체 레지스트 기술과 금속산화물 졸겔법 조합 새로운 젤 포토닉 결정의 제작에 새 길 열어
- 반도체 레지스트 기술과 금속산화물 졸겔법 조합
새로운 겔 포토닉 결정의 제작에 새 길 열어
싼값에 타재료 첨가가 용이 신기능 재료에 기대
東京대학의 桑原誠 교수 등은 반도체 레지스트 기술과 ...
- 2003-07-09
