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- 반도체 기반재료용 저유전율 절연막 개발, 강도 2배
- 일본제온은 반도체의 기반재료가 되는 새로운 저유전율 절연막(로우K)를 개발했다. 종래품에 비해 강도가 2배 이상 높아지는 등 성능이 향상되었다. 2007년도에 50억 엔의 매상을 목표로 한다. 개발한 절연...
- 2005-05-02
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- 열전도율을 간단히 계측하는 기술 개발 차세대 반도체에 적용
- 아르백 理工(橫浜市, 사장 西島忠)은 차세대 반도체 개발용으로 나노레벨 박막의 열전도 효율을 계측하는 기술을 개발했다. 차세대 반도체에서는 절연막의 방열효율을 높일 필요가 있다고 하며 그것을 간...
- 2005-05-02
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- 레이저 조사로 반도체 유리 유화(soften)
- 미국 오하이오주립 대학의 연구진들은 낮은 레벨의 레이저를 조사하면 셀레늄/게르마늄 유리가 연화되고 레이저를 제거하면 원래 강도로 돌아가는 것을 발견하였다. 유리는 80% 셀레늄과 20% 게르마늄의 ...
- 2005-05-02
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- 반도체의 불순물 분포 몇 나노 레벨에서 계측하는 기술 개발
- 東芝와 NEC등 민간 25개사와 經濟産業省이 설립한 공동연구조직 ‘반도체 MIRAI프로젝트’는 반도체 속의 불순물 원자의 분포를 몇 나노미터 레벨에서 정밀계측하는 기술을 개발했다. 회로선폭 45나노미터...
- 2005-03-01
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- 자외선 센서 불꽃을 고감도 검출 질화갈륨계 반도체 사용, 실화(失火)·화재검지기에 응용
- 名古屋공업대학의 江川孝志 교수 등은 실내조명이나 태양광 아래에서도 불꽃을 고감도로 검출할 수 있는 자외선센서를 시작했다. 불꽃에서 가장 강하게 나오는 파장 310나노미터 부근의 자외선만을 검지...
- 2005-03-01
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- 다공질 단열재, 단단하게 커버 반도체 가열로용 내열·저발진(低發塵) 도료 개발
- 야루카 세라믹스(大阪府 攝津市, 사장 三方靖也)는 실리카, 알루미나 분말과 비늘조각 모양 광물 분말을 분산시킨 내열성 도료를 개발했다. 높은 청정도가 요구되는 반도체 가열로와 액정유리 어니링용 ...
- 2005-03-01
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- 반도체 레이저 유력 물질 발견, 시작결정으로 발진
- 물질·재료연구기구는 파장 약 200나노미터인 원자외선이 나오는 반도체 레이저의 실현에 길을 여는 유력물질을 발견했다. 육방정질화붕소라고 불리는 물질로 시작결정에 의한 실험에서 실제로 원자외선 ...
- 2004-12-29
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- 반도체소자 전극용 구리분말 제조기술 개발
- 나노전문 벤처기업인 나노솔루션이 최근 개발한 반도체 제조용 기술이 업계의 주목을 받고 있다.
나노솔루션이 개발한 기술은 ‘반도체소자 전극용 구리분말 제조기술’로 반도체 소자의 외부전극을 ...
- 2004-12-28
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- 입방정 탄화규소 반도체 기판 전계효과 트랜지스터 개발 세계최고의 채널 이동도
- 일본원자력연구소와 산업기술종합연구소는 입방정 탄화규소 반도체를 기판으로 한 고성능 금속산화막 반도체(MOS) 전계효과 트랜지스터(FE
T)를 공동 개발하여, 성능의 지표인 채널 이동도 1볼트초 당 230...
- 2004-11-21
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- 반도체 산업에서의 최신 TEM 활용
- 朴京洙 공학박사 / 삼성종합기술원 AE Center 수석연구원
최근 디지털 시대의 도래와 함께 문자, 음성, 신호, 영상 등을 복합적 혹은 일체적으로 이용하여 대화형으로 정보를 교환하게 되면서 많은 정보를 ...
- 2004-11-21
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- 초고온에서 기능하는 반도체 국내 첫 개발
- 동의대 연구팀은 차세대 반도체 핵심소재인 실리콘 카바이드(SiC·SiliconCarbide, 탄화규소) 웨이퍼(Wafer)를 국내 최초로 직경 5cm 이상 크기로 개발하는 데 성공했다고 최근 밝혔다.
이 소재는 기존 실리콘 반...
- 2004-11-21
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- 반도체로 사용하기 위한 탄소나노튜브 개발
- 미국 메사추세츠 주의 난테로 사(Nantero Inc.)는 LSI 로직 사와 합력하여 효율적으로 탄소나노튜브를 사용하여 첨단 CMOS 제작이 가능한 새로운 공정을 개발하였다.
탄소나노튜브가 가진 높은 전기 전도도, 열...
- 2004-10-20
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- 나노입자의 형상, 자유자재로 제어하는 기술 개발, 반도체의 성막기술 활용
- 직경 몇 나노미터~몇 십 나노미터의 미세한 ‘나노입자’의 연구개발이 국내외에서 활발하다. 하드디스크나 디스플레이, 전지 등의 고성능화로 이어지리라는 기대가 크다. 東芝의 연구개발센터 주임연구...
- 2004-10-20
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- 광출력 120밀리와트 청자색 반도체 레이저 개발 차세대 대용량 광디스크 보급에 탄력
- 三洋電機는 단속적으로 발광하는 펄스 발진으로 120밀리와트라는 세계최고의 광출력을 가진 청자색 반도체 레이저를 개발했다. 따라서 고출력화에서도 열화되지 않는 반도체 결정조성의 개발과 레이저의...
- 2004-10-20
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- 주성엔지니어링, 반도체 소자 특허취득
- 주성엔지니어링은 ICP 에쳐용 가스 확산판에 관한 특허를 취득했다고 공시했다.
이번에 특허를 받은 ICP 에쳐용 가스 확산판은 소정 직경의 세라믹 볼들 또는 베스펠(vespel) 볼들이 포함된 다공질 판체와 ...
- 2004-10-20
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- 에스엔티, 반도체협회장상 수상
- 에스엔티(대표 이재홍)가 개발한 LP CVD(저압 화학기상증착) 공정용 Si-SiC(규소―탄화규소) 튜브ㆍ보트ㆍ홀더 캡이 반도체협회장상의 수상의 영예를 안았다.
이 Si-SiC 튜브는 LP CVD 공정 상에서 열이 웨이퍼...
- 2004-10-20
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- 전자충격으로 균등하게 2000℃까지 가열 가능 SiC 반도체 제조용 히터용
- 助川電氣工業은 전자충격에 의해 2000℃까지 가열할 수 있는 새로운 가열법을 개발했다. 종래 방식에 비해 높은 가열온도가 있으면서 사용하는 에너지는 적고 균등하게 열을 줄 수 있다는 것이 특징으로 ...
- 2004-09-19
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- 검출부가 석영유리로 된 초음파식 액면검출센서 발매 반도체 장치에 부착
- 知慧의 輪(靜岡縣 浜松市 대표 夏井健)은 검출부가 석영유리로 된 초음파식 액면검출센서를 완성, 발매했다. 높은 내식성이 특징인 접액식 센서로 반도체의 제조·세정장치에 부착하는 것. 금속제 발광소...
- 2004-09-19
